中国の研究者らは、米国の輸出規制によって遮断されているASML製EUV装置を使わず、既存の深紫外線リソグラフィを用いた3nm未満プロセスに向けた初期的な進展を報告している。表面的な数字よりも方向性が重要だ。中国は制裁の壁を、停止標識ではなくエンジニアリング上の制約として扱っている。
ここでのグローバルな読み方は、警戒的ではなく冷静であるべきだ。研究室や低歩留まりのパイロットラインで先端ノードに到達することと、それを経済的に大規模生産することは別問題である。DUVでのマルチパターニングは、より多くのプロセス工程、より多くのマスク、より低い歩留まり、そしてEUVよりも悪い良品あたりコストを意味する。したがって短期的なリスクは、中国が安価な3nmシリコンで市場を溢れさせることではない。真の戦略的シフトはオプション性にある。信頼できる回避策が一つ増えるたびに、輸出規制が生み出すよう設計されたレバレッジは浸食され、米蘭日連合は規制をさらに強化するか、逓減する効果を受け入れるかの決断を迫られる。この決断は両刃の剣だ。なぜなら、Tokyo Electron、Canon、Nikonをはじめとする幅広い材料サプライチェーンは中国需要に大きく依存しているからだ。
日本にとって、これは抽象的な地政学の話ではなく、まさにサプライチェーンと政策の物語である。日本は中国が容易に迂回できない2つのチョークポイントに位置している。リソグラフィ光学系と、より重要なのは、JSR、東京応化工業、信越化学工業といった企業が支配的シェアを持つ特殊化学品、フォトレジスト、材料である。中国がDUVマルチパターニングにさらに傾倒すれば、先端レジストとプロセス材料への需要が高まり、これは商業的に魅力的だが、何を誰に出荷できるかというコンプライアンス問題を先鋭化させる。日本の装置・材料メーカーは、現実の収益がかかっている一方で、ワシントンからのより厳格な足並み揃えの圧力を予期すべきだ。
日本企業、SIer、そしてその顧客にとって、実務的なエクスポージャーはコード層ではなく、調達リスクとコスト変動性である。より断片化した二元的なファウンドリ市場は、産業機器、自動車システム、データセンターハードウェア内部のチップの価格変動とリードタイム不確実性の確率を高める。製造業や公共部門顧客向けに長寿命インフラを構築するSIerは、コンポーネント調達を第一級の設計制約として扱い、サプライヤーやノードをまたいだ代替に耐えるアーキテクチャを優先するのが賢明だろう。
冷静な見方はこうだ。これはゲームを終わらせるのではなく、長引かせる漸進的な進展である。恩恵を受けるのは、半導体市場が地政学的境界線に沿って何年も分断される前提で計画するチームであり、制裁だけが無期限に防衛線を維持すると賭けるチームではない。
